Статическая память — что это?
Статическая память (SRAM) предназначается для хранения информации в статическом режиме – на протяжении любого времени, в случае отсутствия обращений. Однако, обязательным для хранения условием является наличие питающего напряжения. Физическая реализация ячеек статической памяти выполняется при помощи триггеров – элементов, имеющих 2-а устойчивых состояния, которые являются более сложными, сравнительно с ячейками динамической памяти. При этом, ими проще управлять, также данные ячейки не нуждаются в регенерации.
Энергопотребление и быстродействие элементов статической памяти определяют способы изготовления, а также схемотехника запоминающих ячеек. Наиболее экономичной считается КМОП память (CMOS Memory), имеющая время доступа больше 100 наносекунд, однако являющаяся пригодной для продолжительного хранения информации в случае питания от маломощных батарей, используемых в PC. Наиболее быстродействующая статическая память обладает временем доступа в пару наносекунд, это позволяет работать с частотой системной шины процессора, благодаря чему не возникает необходимости в тактах ожидания.
Отметим, что стандартный объем памяти применяющихся сегодня микросхем SRAM может достигать 1 Мбит, однако, сравнительно высокая стоимость хранения информации, а также энергопотребление, наряду с низкой плотностью упаковки, исключают использование SRAM, как основной памяти. В компьютерах микросхемы SRAM чаще всего используют при формировании внешнего кэша основной памяти.
Одним из наиболее важных параметров статической памяти является время доступа – задержка, возникающая при появлении действительных данных по отношению к моменту установления адреса. Стандартные микросхемы SRAM обладают временем доступа 12 — 20 наносекунд, это позволяет выполнить процессору цикл чтения 2-1-1-1 (исключающий такты ожидания), при частотах системной шины не более 33 МГц. В случае использования больших частот, наилучший цикл составит 3-2-2-2.
